电子束蒸发镀膜
利用高速电子束加热使材料汽化蒸发,在基片表面凝结成膜的技术。电子束热源的能量密度可达104-109w/cm2,可达到3000℃以上,可蒸发高熔点的金属或介电材料如钨、钼、锗、SiO2、AL2O3等。
电子束加热的蒸镀源有直枪型电子枪和e型电子枪两种(也有环行),电子束自源发出,用磁场线圈使电子束聚焦和偏转,对膜料进行轰击和加热。
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